时间：2025/10/11 6:18:46
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SM04(4.0)B-BHS-1N-TB是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode）阵列，专为保护敏感电子设备免受瞬态电压冲击和静电放电（ESD）损害而设计。该器件属于Semtech公司推出的微型低电容ESD保护系列，广泛应用于高速数据线路和接口的浪涌防护。该型号采用紧凑型封装，适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类通信设备。SM04(4.0)B-BHS-1N-TB具备优异的钳位性能和快速响应能力，能够在纳秒级时间内将瞬态过电压引导至地，从而保护后端电路不受损坏。其设计符合国际电磁兼容性（EMC）标准，包括IEC 61000-4-2（ESD抗扰度）和IEC 61000-4-5（浪涌抗扰度），适用于严苛的工业和消费类环境。
该器件通常用于多线保护方案中，可同时保护四条信号线路，典型应用场景包括USB接口、HDMI端口、音频线路、传感器接口及其它高速差分信号通道。其低动态电阻和低钳位电压特性确保了在高能量瞬态事件下仍能维持较低的残压水平，提高系统可靠性。此外，该器件具有双向电压保护能力，能够应对正负极性的瞬态干扰，增强了其在复杂电磁环境中的适应性。
器件类型：TVS二极管阵列
通道数：4
工作电压（VRWM）：4.0V
击穿电压（VBR）：最小4.5V，典型5.0V
最大钳位电压（VC）：10.5V @ IPP = 1A
峰值脉冲电流（IPP）：1A
结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN1006-6（1.0mm x 0.6mm）
引脚数量：6
极性：双向
电容值（典型）：0.45pF @ 1MHz
ESD耐受能力：±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
SM04(4.0)B-BHS-1N-TB的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为0.45pF，这一特性使其非常适合用于高速信号线路的保护，例如USB 2.0、HDMI、MIPI等高频接口。低电容意味着对信号完整性的影响极小，不会引起明显的信号衰减或失真，从而保证了数据传输的稳定性和速率。此外，该器件采用先进的半导体工艺制造，具备高度一致的电气特性和长期稳定性，在各种温度和湿度条件下均能可靠工作。
另一个显著特点是其卓越的ESD防护能力，能够承受高达±30kV的人体模型（HBM）接触放电，符合IEC 61000-4-2 Level 4最高防护等级要求。这意味着即使在频繁插拔或干燥环境中产生的强静电情况下，连接的IC也不会因过压而损坏。同时，它还具备良好的浪涌吸收能力，满足IEC 61000-4-5标准下的电气快速瞬变（EFT）和雷击浪涌测试要求。
该TVS阵列采用双向结构设计，能够有效抑制正向和负向的瞬态电压脉冲，适用于交流耦合或双向信号路径。其响应时间小于1ns，能在瞬态事件发生的瞬间迅速导通并将能量泄放到地，最大限度减少对下游电路的冲击。此外，器件的封装尺寸极为小巧（DFN1006-6），占用PCB面积极少，有利于实现高密度布局，特别适合现代轻薄化、微型化的消费电子产品设计需求。
热性能方面，SM04(4.0)B-BHS-1N-TB具有较低的热阻和良好的散热能力，能够在连续多次瞬态事件中保持性能稳定，不易发生热失效。其材料符合RoHS环保指令，无卤素，支持绿色制造流程。整体而言，这款器件集成了高性能、小尺寸、高可靠性和易集成等多项优势，是现代电子系统中理想的ESD和浪涌保护解决方案。
该器件主要应用于需要高精度ESD保护的便携式消费类电子产品中，典型用途包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C接口、耳机插孔、触摸屏信号线以及摄像头模组的数据线路保护。由于其低电容和高速响应特性，也常用于保护高速串行接口如HDMI、DisplayPort、MIPI D-PHY等，防止因用户接触或电缆感应引入的静电损坏主控芯片或显示驱动器。
在工业控制领域，SM04(4.0)B-BHS-1N-TB可用于PLC模块、人机界面（HMI）、传感器信号调理电路中的模拟输入/输出端口保护，提升系统在恶劣电磁环境下的运行稳定性。此外，在汽车电子中，该器件可部署于车载信息娱乐系统的外部接口部分，如A/V输入端子或诊断接口，提供必要的瞬态抑制功能。
通信设备如路由器、交换机、光模块等也广泛采用此类TVS阵列来保护以太网PHY侧的差分对、时钟线路或控制引脚。其小型化封装便于在密集布线的PCB上实现多点防护，且不影响信号质量。总之，任何存在ESD风险且要求低电容、高可靠性的高速信号通道均可考虑使用该器件进行前端保护。
SM04(4.0)B-BHS-1N
