时间：2025/5/22 18:31:54
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SLU5N65SV 是一款高压 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于高效率功率转换电路。
该器件通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的应用场景中。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：1.3Ω
栅极电荷：25nC
输入电容：780pF
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SLU5N65SV 具有以下显著特点：
1. 高耐压性能，能够承受高达 650V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻 (Rds(on))，可降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗并提升系统效率。
4. 紧凑型封装，节省 PCB 空间，并提供良好的散热性能。
5. 可靠性高，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
SLU5N65SV 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 逆变器和 UPS 系统。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 驱动器和其他高效能电子设备。
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件非常适合要求高性能和低功耗的应用场景。
STP5NK65Z, IRFP460, FDP5N65
