晶体管类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：400V
　　最大集电极电流（IC）：8A
　　最大功耗（PD）：80W
　　电流增益（hFE）：在IC=2A时，典型值为20至80
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

HBT137DE具备优异的电气性能和热稳定性，能够在高电压和高电流环境下稳定工作。其高耐压特性使其适用于高达400V的集电极-发射极电压应用场景。此外，器件的封装设计（TO-220）有助于散热，确保在高功率操作时的可靠性。HBT137DE的电流增益范围较宽，允许在不同负载条件下进行灵活的设计和调整。该晶体管还具有较低的饱和压降，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
　　从结构设计上来看，HBT137DE采用了先进的硅基工艺，提高了器件的耐用性和长期稳定性。这种晶体管在制造时通过严格的测试标准，确保了其在恶劣环境下的可靠运行。其TO-220封装形式不仅便于安装在散热片上，还简化了与电路板的连接过程。HBT137DE的热阻较低，从而在高功率应用中表现出更佳的热管理能力，避免了过热导致的性能下降或器件损坏。
　　另外，HBT137DE在设计时也考虑了抗二次击穿能力，这使得它在高电压和高电流条件下仍能保持稳定运行，而不会因局部过热或电流集中而失效。这种特性对于需要长时间连续运行的应用尤其重要。

HBT137DE主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电子电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、直流电机控制器、逆变器、照明系统（如高强度放电灯镇流器）以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的热性能和可靠性，HBT137DE也适用于对稳定性要求较高的消费类电子产品中，例如大功率音频放大器和电源适配器。

TIP142, MJ15003, 2N6292