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SLM160N03T 发布时间 时间:2025/7/12 6:03:47 查看 阅读:20

SLM160N03T是一种高性能的N沟道增强型功率MOSFET,专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和高能效的特点,非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。此外,SLM160N03T具有良好的热稳定性和耐用性,能够在严苛的工作环境下提供可靠的性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:160A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

SLM160N03T拥有极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
  其快速的开关速度有助于降低开关损耗,从而在高频应用中表现优异。
  该器件具有较高的电流承载能力,使其能够适应大功率应用需求。
  由于采用了优化的封装技术,SLM160N03T可以实现高效的散热,确保长时间稳定运行。
  此外,它还具备出色的抗静电能力和鲁棒性,能够在恶劣环境中保持正常工作。

应用

SLM160N03T广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及AC-DC适配器
  2. DC-DC转换器
  3. 工业电机驱动与控制
  4. 汽车电子中的负载开关
  5. 大功率LED驱动电路
  6. 充电器模块
  其卓越的性能使得该器件成为需要高效率、高可靠性的系统的理想选择。

替代型号

SLM150N03T
  IRF3205
  STP160N03L

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