电容值：4.7μF
　　额定电压：25V
　　容差：±20%
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化不超过±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　尺寸（英制）：0603（1608公制，即1.6mm x 0.8mm）
　　直流偏压特性：随电压增加电容值下降，在25V接近满压时实际电容可能降至标称值的60%-70%
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 ≥100Ω·F（取较大值）
　　使用寿命：在额定电压与温度下可稳定运行至少10年

UMF1E4R7MDD是一款基于X5R介电材料的多层陶瓷电容器，具有较高的体积效率和稳定的电气性能。其最显著的特性之一是在较宽的温度范围内保持电容值的相对稳定，X5R材质确保了在-55°C到+85°C之间电容变化控制在±15%以内，这使其非常适合用于对温度敏感度有一定要求但又不需要NP0/C0G级别精度的场合。尽管其容差为±20%，但由于采用了先进的叠层制造工艺，批次间一致性良好，适合大规模自动化生产使用。
　　该器件在直流偏压下的性能表现是设计时需重点考虑的因素。由于高介电常数陶瓷材料（如钡钛酸盐）的固有特性，当施加接近额定电压的直流偏置时，实际可用电容会显著降低。例如，在施加25V电压时，实测电容可能仅维持在标称值的60%左右。因此，在电源去耦或稳压电路中应用时，应参考村田提供的DC偏压曲线进行降额设计，以确保系统在全工作条件下仍能满足最小电容需求。
　　机械结构方面，UMF1E4R7MDD采用金属化端电极为镍阻挡层加锡镀层，兼容无铅回流焊工艺，具备良好的可焊性和耐热冲击能力。其小型化的0603封装有利于提高PCB布局密度，同时减少寄生电感，提升高频响应能力。此外，该器件具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），在数百kHz至数十MHz频率范围内表现出优秀的滤波性能，适用于开关电源输出滤波、IC电源引脚去耦等应用场景。由于采用陶瓷介质，它还具备极长的使用寿命和出色的抗老化特性，不会像电解电容那样因电解液干涸而失效。

UMF1E4R7MDD广泛应用于各类电子设备中的电源管理与信号处理电路。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常被用作处理器或射频模块的电源去耦电容，利用其小尺寸和良好高频特性来抑制噪声并稳定供电电压。在通信模块中，可用于构建LC滤波网络，消除开关噪声或高频干扰。
　　在工业控制领域，该电容器适用于PLC控制器、传感器信号调理电路以及接口保护电路中，提供可靠的滤波和瞬态抑制功能。由于其具备一定的温度稳定性与机械强度，也可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS传感器单元，尤其是在非动力总成区域的次级电源轨滤波应用中。
　　此外，在DC-DC转换器电路中，UMF1E4R7MDD可作为输入或输出滤波电容使用，配合电感构成π型或T型滤波结构，有效降低纹波电压。虽然单个4.7μF容量在大电流电源中可能不足以单独承担储能任务，但通过并联多个MLCC可以实现更高有效电容，同时进一步降低整体ESR，提升动态响应能力。在模拟电路中，还可用于音频信号耦合或直流阻断，尽管需注意X5R材料可能存在轻微的压电效应，可能引入微小噪声，因此高保真音频路径通常优先选择C0G/NP0类型。
　　由于其符合AEC-Q200可靠性标准的可能性较高（需查证具体数据手册），该器件也适合部署于对长期稳定性要求较高的嵌入式系统和户外电子装置中，例如智能电表、安防监控设备和物联网网关等。总之，UMF1E4R7MDD凭借其紧凑尺寸、适中容量和可靠性能，在现代电子设计中扮演着基础而关键的角色。

GRM188R71E4R7MA01D
　　CL21B475KOFNNNE
　　C1608X5R1E475K