SLI10N60C 时间：2025/8/13 16:22:08 阅读：6

SLI10N60C 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的SuperMESH技术，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源转换器、电机控制、开关电源（SMPS）和逆变器等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（在TC=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为0.68Ω（典型值0.58Ω）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

SLI10N60C采用了STMicroelectronics的SuperMESH技术，这种技术通过优化器件结构，实现了更低的导通电阻和更高的开关效率。该MOSFET的漏源耐压达到600V，使其适用于高压应用场景，如AC-DC电源转换和工业电机控制。其栅源电压范围为±20V，确保了在高噪声环境下仍能稳定运行。
　　该器件的导通电阻低至0.58Ω（典型值），能够显著降低导通损耗，提高系统效率。同时，其最大漏极电流可达10A，在高功率密度设计中表现出色。SLI10N60C还具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的工业环境中长时间工作。
　　此外，SLI10N60C具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统性能。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于各种高功率电子设备。