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SI8220CD-D-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 18:44:15 查看 阅读:21

SI8220CD-D-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片,采用其专利的数字隔离技术。该芯片专为驱动高功率MOSFET和IGBT等功率开关器件而设计,广泛应用于开关电源、逆变器、电机控制和工业自动化等领域。SI8220CD-D-ISR 具备较强的抗干扰能力和可靠性,能够在恶劣的工业环境中稳定工作。

参数

工作电压:2.5V 至 5.5V
  输出驱动电流:±4.0A(峰值)
  隔离电压:5kVRMS
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  传播延迟:最大110ns
  上升/下降时间:典型值为9ns
  输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
  封装类型:8引脚SOIC宽体封装

特性

SI8220CD-D-ISR 具备多项优异的电气和隔离性能,适用于高要求的工业和电源应用。其核心特性之一是基于Silicon Labs专利的CMOS数字隔离技术,提供高达5kVRMS的增强型隔离能力,确保主控电路与功率电路之间安全隔离,防止高电压干扰或损坏控制器。芯片采用双通道结构,每个通道均可独立配置为高边或低边驱动,支持多种拓扑结构,如半桥、全桥和推挽式电路。
  该器件的输入端兼容CMOS/TTL电平,可直接与各种控制器(如MCU、DSP、FPGA等)连接,简化了系统设计。输出端具备高达±4.0A的峰值驱动电流能力,可有效驱动大功率MOSFET和IGBT,缩短开关时间,降低开关损耗。同时,SI8220CD-D-ISR 提供快速的传播延迟(最大110ns)和极短的上升/下降时间(典型值9ns),有助于实现高频开关操作,提高系统效率。
  在保护方面,SI820系列芯片内置欠压锁定(UVLO)功能,确保在电源电压不足时关闭输出,防止不稳定的驱动行为。此外,该芯片具备良好的共模瞬态抗扰度(CMTI)性能,可抵御快速电压变化带来的干扰,保障系统稳定运行。SI8220CD-D-ISR 还具有较低的功耗和良好的热稳定性,适合在高温环境下长期工作。

应用

SI8220CD-D-ISR 主要应用于需要高可靠性和高性能隔离驱动的电力电子系统中。例如,在工业变频器和伺服驱动器中,它用于驱动功率MOSFET或IGBT模块,实现对电机的高效控制。在太阳能逆变器和储能系统中,该芯片可提供稳定可靠的隔离驱动,提升整体系统效率和安全性。此外,该芯片也广泛用于电动汽车充电设备、不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)以及工业自动化控制系统中。
  由于其高驱动能力和良好的隔离性能,SI8220CD-D-ISR 也适用于高电压和高频率应用,如高频DC-DC转换器、谐振变换器和软开关拓扑。在这些应用中,快速响应和低延迟的特性有助于减少开关损耗,提升系统性能。同时,其在恶劣环境下的稳定性也使其成为军工、航空航天等高可靠性要求领域的理想选择。

替代型号

UCC21520, ADuM4223, NCP51561

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SI8220CD-D-ISR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1,250 : ¥19.31826卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)30kV/μs(标准)
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,40ns
  • 脉宽失真(最大)-
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低1.5A,2.5A
  • 电流 - 峰值输出2.5A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)2.5V(最大)
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)30 mA
  • 电压 -?输出供电12.2V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE