时间：2025/4/3 9:57:50
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SLF5N60C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
SLF5N60C采用TO-220封装形式，适合散热需求较高的场景。其额定电压为600V，能够承受较高的漏源电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：5A
导通电阻：1.4Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：38nC（典型值）
输入电容：790pF（典型值）
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，可承受高达600V的漏源电压，适用于高压环境。
2. 低导通电阻设计，减少功率损耗，提高效率。
3. 快速开关速度，支持高频应用，降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能正常运行。
5. 采用TO-220标准封装，易于安装并具备良好的散热性能。
6. 宽工作温度范围，适应各种极端气候条件下的应用需求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 逆变器系统中的功率转换模块。
4. DC-DC转换器中的主开关元件。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制组件。
6. 电动车充电器及其他高压电力设备中的功率管理单元。
STP5NK60Z,
IRF540N,
FDP5I60,
IXFN50N60T2
