时间：2025/5/8 12:12:56
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SLD15N10T是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。其设计优化了导通电阻与开关性能，能够在高频应用中提供高效的功率转换。
SLD15N10T采用TO-263封装形式，具有较高的电流处理能力和良好的散热特性，适合于需要高效率和低功耗的电路设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
栅极电荷：35nC
导通电阻：0.09Ω
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 具备ESD保护功能，提高了器件在实际应用中的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于现代电子设备制造要求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业控制领域中的功率管理模块。
IRFZ44N, STP16NM60, FDP15N10
