类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1000V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　脉冲漏极电流（Idm）：48A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（RDS(on) max）：典型值约0.75Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：约65nC @ Vds=800V, Id=12A
　　输入电容（Ciss）：约1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约180pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非体二极管主导应用）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

12N100-FC2的核心优势在于其高耐压与相对较低的导通电阻之间的良好平衡，使其在1000V级别的功率MOSFET中具有较强的竞争力。该器件采用优化的元胞设计和场板结构，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时增强了器件在高电压下的电场分布均匀性，从而提高了长期工作的可靠性和抗雪崩能力。其低RDS(on)特性意味着在导通状态下产生的热量更少，有助于减少散热器尺寸和系统整体成本。
　　该MOSFET具有较快的开关速度，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），能够在高频开关应用中实现更高的转换效率。这对于现代开关电源向小型化、高功率密度发展的趋势尤为重要。同时，器件的输入和输出电容经过优化，在保持足够驱动能力的同时，减少了不必要的动态损耗。
　　热稳定性方面，12N100-FC2采用高质量的封装材料和内部连接工艺，确保在高温、高湿和振动环境下仍能稳定工作。其最大结温可达150°C，并支持在宽温度范围内保持电气性能的一致性。这使得它非常适合部署在工业电源、光伏逆变器、UPS不间断电源等恶劣环境中。
　　此外，该器件具备较强的抗dv/dt能力，能够在快速电压变化下避免误触发，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现。内置的体二极管虽然不是主要工作元件，但在某些拓扑中（如反激变换器）也能提供一定的续流功能，且具有较短的反向恢复时间，减少了反向恢复带来的尖峰电压和损耗。
　　总体而言，12N100-FC2是一款面向中高端功率应用的高性能MOSFET，兼顾了效率、可靠性和成本控制，是替代传统低效率晶体管或早期MOSFET的理想选择。

12N100-FC2主要用于各类高压直流到交流或直流到直流的功率转换系统中。典型应用场景包括但不限于：工业级开关电源（SMPS），特别是反激式、正激式和半桥拓扑结构中的主开关管；太阳能光伏逆变器中的DC-AC转换模块，用于将太阳能板产生的高压直流电转换为交流电；不间断电源（UPS）系统中的功率因数校正（PFC）级和逆变级电路；电机驱动器中的高压侧开关元件，适用于中小型交流或直流电机控制；以及高压LED驱动电源、电焊机电源、医疗电源等对安全性与稳定性要求较高的设备。
　　在这些应用中，12N100-FC2凭借其1000V的高击穿电压，可以适应输入电压波动较大的电网环境或高压母线系统，尤其适合在AC220V或AC380V输入的整流后电路中使用。其12A的连续电流能力也足以支撑数百瓦至千瓦级的输出功率需求。配合适当的驱动电路和保护机制（如过流、过温保护），该器件能够实现长时间稳定运行。
　　此外，由于其优异的开关特性和低损耗表现，12N100-FC2也被广泛用于追求高能效等级的绿色能源产品中，例如满足Energy Star或IEC 61000标准的电源适配器和充电器。在电动汽车充电桩的辅助电源模块中，该器件也可作为关键的功率开关使用。
　　在实际应用设计中，建议搭配专用的高压栅极驱动IC，并注意PCB布局中的寄生电感控制，以充分发挥其性能潜力。同时，应确保足够的散热措施（如加装散热片或强制风冷），特别是在满载或高温环境下运行时，以延长器件寿命并保障系统安全。

12N100-FK2
　　12N100-T
　　STGF12N100D
　　STW12N100K
　　FGL12N100ANTDTU