EDZVT2R22B 时间：2025/12/25 11:02:41 阅读：8

EDZVT2R22B是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管，属于EDZV系列。该系列二极管专为高精度电压参考和稳压应用而设计，具有低功耗、高稳定性和优异的温度特性。EDZVT2R22B的标称齐纳电压为2.2V，适用于需要精确低压参考的应用场景。该器件采用小型SOD-523封装，占用PCB面积小，适合便携式电子设备和高密度电路板布局。其结构基于硅PN结反向击穿原理，在规定的电流范围内可提供稳定的参考电压。EDZVT2R22B广泛应用于电源管理、模拟信号调理、A/D转换器基准、传感器偏置电路以及各种消费类电子产品中。作为T系列型号，它代表了较高的电压容差等级，通常具备±1%或更优的初始电压精度，确保在不同工作条件下仍能维持出色的稳定性。此外，该器件还具备良好的动态阻抗特性，能够在负载变化时快速响应并保持输出电压恒定。

参数

型号：EDZVT2R22B
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压（标称值）：2.2V
　　齐纳电压容差：±1%
　　最大耗散功率：200mW
　　测试电流（IZT）：5mA
　　动态阻抗（Zzt）：典型值20Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流（IR）：< 1μA @ VR = 1V

特性

EDZVT2R22B齐纳二极管具备多项优异的技术特性，使其在精密模拟电路和低功耗系统中表现出色。首先，其标称齐纳电压为2.2V，属于低压齐纳二极管范畴，能够在低电压供电系统中提供可靠的参考电压源。这一电压值特别适合与现代CMOS逻辑电路和低电压ADC/DAC配合使用，避免额外的电平转换需求。该器件的电压容差控制在±1%，表明其出厂时的电压精度非常高，减少了外部校准的需求，提升了系统的整体可靠性。
　　其次，EDZVT2R22B采用先进的芯片制造工艺，确保了良好的温度稳定性。其温度系数经过优化，在宽温度范围内（-55°C至+150°C）能够维持较小的电压漂移，这对于工业级和汽车级应用尤为重要。同时，该器件的动态阻抗（Zzt）典型值为20Ω，意味着在输入电流波动时，输出电压的变化极小，从而提高了稳压性能。
　　再者，该齐纳二极管的最大功耗为200mW，适用于大多数低功耗场景。其测试电流设定为5mA，表明在常规工作条件下即可实现稳定击穿，无需过大的驱动电流，有助于节能设计。反向漏电流低于1μA（在VR=1V条件下），说明在未达到击穿电压前，器件几乎不导通，保证了信号路径的高阻态隔离性能。
　　SOD-523封装是目前最小的表面贴装二极管封装之一，尺寸仅为1.0×0.6×0.45mm左右，非常适合空间受限的应用，如智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等。此外，该封装具有良好的热传导性能和机械强度，支持自动化贴片生产，提高组装效率与良率。综合来看，EDZVT2R22B是一款集高精度、小尺寸、低功耗和高稳定性于一体的高性能齐纳二极管，满足现代电子系统对微型化和可靠性的严苛要求。

应用

EDZVT2R22B因其高精度和小型化特性，广泛应用于多个电子领域。常见用途包括作为模拟电路中的电压参考源，用于运算放大器的偏置设置、ADC和DAC的基准电压提供，以及传感器信号调理电路中的电平稳定。在电源管理系统中，它可用于低压LDO的反馈网络，提升输出电压的准确性。此外，该器件也常用于电池供电设备中的电压监测电路，例如智能手表、无线传感器和蓝牙耳机，利用其低功耗和小尺寸优势延长续航时间并节省PCB空间。在通信模块、音频处理电路和微控制器接口保护中，EDZVT2R22B也能发挥电压钳位和噪声抑制的作用。由于其工作温度范围宽，还可适用于工业控制、汽车电子和户外环境下的嵌入式系统。