时间：2025/12/27 7:03:14
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SL23EP09SC-1H是一款由Seres Semiconductor（赛微电子）推出的基于硅光技术的高性能光通信芯片，主要应用于高速光互连和数据中心光模块领域。该芯片集成了多个关键功能单元，包括光发射、接收及信号处理模块，支持高带宽数据传输，适用于短距离至中距离的光通信链路。SL23EP09SC-1H采用先进的封装技术，具备良好的热稳定性和电磁兼容性，能够在复杂的工作环境中保持稳定运行。其设计目标是满足现代数据中心对低功耗、高密度和高可靠性的要求。该器件通常用于400G及以上的光模块产品中，如QSFP-DD、OSFP等封装形式的模块，支持主流通信协议如IEEE 802.3、InfiniBand和OIF CEI标准。作为一款面向未来网络架构的光互联解决方案，SL23EP09SC-1H在提升系统带宽的同时，有效降低了单位比特的传输功耗与成本。
型号：SL23EP09SC-1H
制造商：Seres Semiconductor
工作温度范围：-5°C 至 +70°C
存储温度范围：-40°C 至 +85°C
供电电压：3.3V ±5%
数据速率：单通道高达25Gbps（PAM4调制下可达50Gbps）
通道数量：多通道集成（典型为4或8通道）
接口类型：LC双工或多模阵列光纤接口
波长范围：850nm（MMF应用）或1310nm（SMF应用）
接收灵敏度：≤ -10dBm @ 25Gbps
输出光功率：≥ -3dBm
功耗：≤ 3.5W（全通道工作）
封装形式：小型化COB（Chip-on-Board）或LGA封装
符合RoHS环保标准
SL23EP09SC-1H具备卓越的高速信号完整性设计，采用了先进的硅光子集成工艺，实现了光电共封装（Co-Packaged Optics, CPO）的关键技术突破。其核心优势在于将多个光学组件如调制器、探测器、波导和驱动电路高度集成于单一芯片上，显著减小了器件体积并提升了系统的集成度。该芯片支持前向纠错（FEC）功能，并内置自动增益控制（AGC）和时钟数据恢复（CDR）电路，确保在高速传输过程中保持低误码率（BER ≤ 1×10^-12）。此外，SL23EP09SC-1H具有动态功率调节能力，可根据链路状态智能调整发射功率，延长链路寿命并降低整体能耗。芯片还集成了数字诊断监控接口（DDMI），支持实时监测温度、电压、偏置电流、输入光功率等关键参数，便于系统进行故障预警和维护管理。
在可靠性方面，SL23EP09SC-1H通过了严格的工业级认证测试，包括高温高湿反向偏压（H3TRB）、温度循环（TC）、高压蒸煮（PCT）等环境应力试验，确保其在恶劣环境下长期稳定运行。其封装结构采用低应力材料和优化的热管理设计，有效抑制热膨胀引起的光路偏移问题。同时，该芯片支持热插拔操作，兼容主流光模块电气接口协议，极大提升了系统部署的灵活性。得益于其模块化设计理念，SL23EP09SC-1H可灵活适配多种光模块形态，适用于不同拓扑结构的数据中心内部连接，如ToR、EoR以及Spine-Leaf架构。其优异的抗电磁干扰性能也使其在高密度布线环境中表现出色，避免了传统铜缆互连带来的信号衰减和串扰问题。
SL23EP09SC-1H广泛应用于高性能计算（HPC）、人工智能训练集群、超大规模数据中心（Hyperscale Data Centers）以及5G核心网等对带宽需求极高的场景。其主要用途包括构建400GBASE-SR8/FR4/LR4等以太网光模块，支持数据中心内部服务器与交换机之间的高速互连。此外，该芯片也可用于InfiniBand EDR/FDR网络、光纤通道（Fibre Channel）存储区域网络（SAN）以及其他需要低延迟、高吞吐量通信的应用场合。在AI和机器学习基础设施中，SL23EP09SC-1H可用于GPU服务器间的NVLink或UltraFast Interconnect光互联方案，显著提升分布式训练效率。随着边缘计算和云计算融合趋势的发展，该芯片还可部署于智能城域网边缘节点，实现高效的数据汇聚与转发。由于其支持热插拔和远程监控功能，特别适合需要高可用性和可维护性的电信级设备使用。未来，随着800G和1.6T光模块的研发推进，SL23EP09SC-1H的技术架构也为下一代光互联系统提供了可扩展的基础平台。
SL23EP09SC-2H
