BUK9509-40B,127是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的Trench技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流能力,适用于高效能功率转换应用。其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适用于多种工业和消费类应用。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):40V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
漏极连续电流(Id):90A
导通电阻(RDS(on)):4.7mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220
BUK9509-40B,127具有多个关键特性,使其在功率应用中表现出色。首先,其极低的导通电阻(RDS(on))为4.7mΩ,确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。该特性对于电池供电设备或高效DC-DC转换器尤为重要。
其次,该MOSFET支持高达90A的连续漏极电流,适用于高功率负载切换和电机控制等应用。其高电流能力结合TO-220封装良好的散热性能,使其能够在高负载下稳定运行。
此外,该器件具备±20V的栅极-源极电压耐受能力,使其适用于各种栅极驱动电路设计,并增强了抗电压瞬变能力。其工作温度范围为-55°C至+175°C,确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能,适用于工业控制、电源管理和汽车电子等严苛应用场景。
最后,该器件采用Trench工艺制造,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中表现优异。同时,其封装设计便于安装和散热管理,适用于需要高可靠性的系统设计。
BUK9509-40B,127广泛应用于多个领域,包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及汽车电子控制系统。在电源管理方面,该器件适用于高效率同步整流器和多相供电系统;在电机控制方面,其高电流能力和低导通电阻使其适用于电动工具和工业自动化设备中的功率级设计;在电池管理系统中,可用于高侧或低侧开关,实现对电池充放电的高效控制;在汽车电子领域,可用于车身控制模块、电动助力转向系统(EPS)及车载充电器等应用。
IRF3710, STP90N40F6, FDP8870