型号：SL0810N-100M
　　输出频率：100.000 MHz
　　供电电压：3.3V ±10% 或 2.5V ±10%
　　输出逻辑类型：LVCMOS
　　频率稳定度：±10 ppm（包括初始精度、温度变化及老化）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　老化率：±3 ppm/年
　　启动时间：≤5ms
　　相位噪声 @ 1kHz 偏移：-150 dBc/Hz
　　相位噪声 @ 10kHz 偏移：-160 dBc/Hz
　　抖动（RMS，12kHz~20MHz）：<0.3 ps
　　电流消耗：典型值 15mA
　　封装尺寸：8.0 x 5.0 x 1.2 mm
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　基波频率：基频
　　输入阻抗：高阻抗输入
　　输出负载：15pF || 10kΩ 到 GND
　　谐波抑制：>60dBc

SL0810N-100M 具备出色的频率稳定性和极低的相位噪声性能，是其核心优势之一。该振荡器在全温度范围内实现了±10ppm的总频率偏差控制，涵盖初始精度误差、温度引起的漂移以及长期老化效应，使其非常适合用于对时序敏感的应用如高速串行通信、同步数字体系（SDH）、光传输网络（OTN）等。其采用高品质AT切型石英晶体，能够在-40°C至+85°C的工作环境中保持稳定的机械共振特性，避免因温度突变导致的频率跳变或停振现象。器件内部集成高效的振荡放大电路，优化了起振条件，保证在各种负载和电源波动情况下仍能快速可靠启动，典型启动时间小于5毫秒，满足系统快速上电自检的需求。
　　在噪声性能方面，SL0810N-100M 表现出色，其在1kHz频偏处的相位噪声可达-150dBc/Hz，在10kHz频偏处进一步降低至-160dBc/Hz，这种低相噪特性有效减少了时钟信号中的随机抖动成分，从而显著提升了ADC/DAC采样精度、高速SerDes链路误码率表现以及无线通信系统的EVM指标。输出为标准LVCMOS电平，兼容大多数数字IC的时钟输入接口，驱动能力强且波形清晰，上升下降时间均衡，减少过冲与振铃问题。
　　该器件还具备良好的抗干扰能力和环境适应性，外壳采用全屏蔽金属封装，提供优异的EMI防护，防止外部电磁场干扰影响振荡稳定性。同时，结构设计增强了抗震与耐冲击性能，适用于车载电子、工业控制等恶劣物理环境。老化率为每年不超过±3ppm，意味着在十年使用周期内频率偏移可控制在±30ppm以内，极大延长了设备校准周期和使用寿命。整体功耗经过优化，在3.3V供电下典型电流为15mA，兼顾性能与能效。所有材料符合RoHS指令，支持无铅回流焊工艺，适用于现代自动化生产流程。

SL0810N-100M 主要应用于需要高精度、低抖动时钟源的电子系统中。典型应用场景包括但不限于：高速通信设备如路由器、交换机、基站射频单元中的主控时钟；光纤传输系统中的同步参考时钟；测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪、信号发生器中的采样时钟源；工业自动化控制系统中的PLC与时序控制器；高端FPGA、DSP和ASIC芯片的参考时钟输入；数据中心服务器主板及PCIe扩展卡的系统时钟；广播音视频设备中的音频采样与视频同步基准；航空航天与国防电子中的雷达信号处理与时分复用系统。由于其具备良好的温度稳定性和低相位噪声，也常被用于精密仪器仪表、卫星导航接收机前端以及量子计算实验平台中的本地振荡器模块。此外，在5G小基站、毫米波通信原型系统以及高速ADC/DAC评估板中，SL0810N-100M 能够提供可靠的100MHz基准频率，支持多通道同步采集与数字下变频操作。其表面贴装封装形式便于SMT生产线作业，适合批量制造。在需要替代传统插件式OSC的升级项目中，该型号也是理想的替换选择，可在不改变电路架构的前提下实现小型化与高性能提升。

SiT9102AI-100.000000X , ECS-100-33-7M-LXN , ABM8G-100.000MHZ-D2Y-T