时间：2025/6/9 15:19:20
阅读：5
FCB36N60NTM是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用TO-247封装形式，具有高耐压、低导通电阻的特点，适合应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
这款MOSFET的设计注重效率和可靠性，能够在高频开关条件下提供出色的性能表现。同时，其较高的雪崩能量能力也确保了在异常工作条件下的稳定性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：36A
栅极电荷：85nC
导通电阻：0.18Ω
工作结温范围：-55℃至+150℃
总功耗：290W
FCB36N60NTM的主要特点是高耐压和大电流承载能力，使其非常适合高压工业应用。
1. 高耐压能力：高达600V的漏源电压使其能够适应多种高压场景。
2. 低导通电阻：0.18Ω的导通电阻显著降低了功率损耗，提升了系统效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（85nC）允许快速开关操作，减少开关损耗。
4. 耐热性好：支持从-55℃到+150℃的工作温度范围，适应恶劣环境。
5. 雪崩能量能力强：即使在过载或短路情况下也能保持稳定运行。
这些特性使得FCB36N60NTM成为许多高压、高效能应用的理想选择。
FCB36N60NTM广泛应用于各种高压电力电子设备中：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机能逆变器
4. 不间断电源（UPS）
5. 电动车辆牵引逆变器
6. 高频DC-DC转换器
由于其优异的性能和可靠性，这款MOSFET特别适合需要高效率和高稳定性的场景。
FFB36N60NTM
STW14NM60K
IRFP460
