类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：115A
　　最大漏源电压：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（最大）
　　栅极阈值电压：2V 至 4V
　　最大功耗：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

SKUT115/13 具备一系列优异的电气和热性能特性，能够满足高性能功率转换应用的需求。首先，该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）非常低，仅为 1.3mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的最大漏极电流可达 115A，在高电流应用中表现出色，适用于大功率电源系统。
　　SKUT115/13 采用先进的沟槽式结构技术，使得其在开关过程中具有较低的开关损耗。这对于高频开关电源（如 LLC 谐振转换器、同步整流器等）尤为重要，可以有效减少热损耗并提高系统稳定性。该器件的栅极阈值电压在 2V 至 4V 之间，确保了与标准逻辑电平的兼容性，便于驱动电路的设计。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和散热能力，得益于其 TO-252（DPAK）封装设计，可以在较高温度环境下稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。此外，SKUT115/13 的最大功耗为 100W，进一步增强了其在高功率密度设计中的适用性。
　　为了确保器件在复杂工况下的可靠性，SKUT115/13 还内置了一定程度的短路和过载保护能力，能够承受短暂的过电流冲击而不损坏。这种特性使其非常适合用于电机控制、负载切换、逆变器等需要频繁切换的场合。

SKUT115/13 广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的设计场景。在电源管理系统中，该 MOSFET 可用于同步整流器、DC-DC 降压或升压转换器，以及电池充放电管理电路，显著提升能源利用率。在电机驱动应用中，SKUT115/13 可用于 H 桥电路或 PWM 控制，提供高效且稳定的电机控制性能。
　　该器件也适用于工业自动化设备中的电源开关和负载管理，如 PLC 控制器、工业逆变器、伺服驱动器等。由于其高耐压（100V）和大电流能力，SKUT115/13 也常见于汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）、DC-DC 转换模块等。此外，在太阳能逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）中，该 MOSFET 同样扮演着关键角色，为系统提供高效能的功率转换能力。
　　在消费类电子产品中，SKUT115/13 也可用于高功率适配器、快充设备和大功率 LED 驱动电路，满足现代电子设备对小型化和高效能的双重需求。其表面贴装封装形式也有利于自动化生产，提高制造效率。

STL115N10F7, IRF1324S-7PP, SiR182DP, IPW90R120C3, IPP115N10N3