SKT590F12DT是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,主要用于高功率应用,例如工业电机控制、电力变换系统和可再生能源系统。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性,适用于高效率和高频率的开关操作。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):50A
最大工作温度:150°C
封装类型:双列直插式(DIP)
短路耐受能力:有
最大工作频率:20kHz
导通压降(VCEsat):约2.1V(典型值)
输入电容(Cies):约3000pF
热阻(RthJC):约0.35°C/W
封装尺寸:符合标准工业封装规范
SKT590F12DT具备优异的功率处理能力和高可靠性,适合在高功率密度和高温环境下工作。其内部结构设计优化了热管理和电磁干扰(EMI)性能,提高了模块的稳定性和寿命。此外,该模块具有良好的短路耐受能力,可以在异常工况下提供额外的安全保障。模块的封装设计支持快速安装和高效散热,便于在紧凑型设计中使用。IGBT的导通压降较低,减少了导通损耗,提高了整体能效。同时,该模块的输入电容较小,有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。由于其高性能和高可靠性,SKT590F12DT广泛应用于工业电机驱动、UPS系统和太阳能逆变器等高要求场景。
该模块主要应用于工业电机控制、电力电子变换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及各种高功率开关电源设备。
SKM50GB12T4、FF50R12KS4、STGF5NC120D1