时间：2025/8/23 1:21:22
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SKT590F12DT是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率模块，主要用于高功率应用，例如工业电机控制、电力变换系统和可再生能源系统。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，适用于高效率和高频率的开关操作。
类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：50A
最大工作温度：150°C
封装类型：双列直插式（DIP）
短路耐受能力：有
最大工作频率：20kHz
导通压降（VCEsat）：约2.1V（典型值）
输入电容（Cies）：约3000pF
热阻（RthJC）：约0.35°C/W
封装尺寸：符合标准工业封装规范
SKT590F12DT具备优异的功率处理能力和高可靠性，适合在高功率密度和高温环境下工作。其内部结构设计优化了热管理和电磁干扰（EMI）性能，提高了模块的稳定性和寿命。此外，该模块具有良好的短路耐受能力，可以在异常工况下提供额外的安全保障。模块的封装设计支持快速安装和高效散热，便于在紧凑型设计中使用。IGBT的导通压降较低，减少了导通损耗，提高了整体能效。同时，该模块的输入电容较小，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。由于其高性能和高可靠性，SKT590F12DT广泛应用于工业电机驱动、UPS系统和太阳能逆变器等高要求场景。
该模块主要应用于工业电机控制、电力电子变换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及各种高功率开关电源设备。
SKM50GB12T4、FF50R12KS4、STGF5NC120D1
