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SKT590F08DS 发布时间 时间:2025/8/23 6:24:12 查看 阅读:6

SKT590F08DS 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型晶体管。该器件适用于高频率和高功率应用场景,具有较低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。其广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效能开关的电路中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):800V
  最大漏极电流(Id):15A(在25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):0.55Ω(最大值)
  最大功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220FP
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  漏极-源极击穿电压(BR)Vds:800V
  漏极-栅极击穿电压(BR)Vdg:800V
  源极-漏极电压(BR)Vsd:5V
  输入电容(Ciss):1100pF(典型值)
  反向恢复时间(trr):150ns(典型值)

特性

SKT590F08DS 是一款性能优异的功率MOSFET,具备800V的高耐压能力和15A的漏极电流容量,适合高功率应用。该器件采用TO-220FP封装,具有良好的热管理和散热能力,能够适应较为严苛的工作环境。其导通电阻较低,有助于降低导通损耗,提升能效。此外,该MOSFET的栅极阈值电压在2V至4V之间,使得其能够与标准逻辑电平兼容,便于驱动电路的设计。输入电容较小,有助于提高高频响应能力,从而适用于高频开关应用。反向恢复时间较短,有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。同时,该器件具备宽泛的工作温度范围,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适合工业级和消费级应用需求。

应用

SKT590F08DS 主要应用于电源管理领域,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及各种需要高效能功率开关的电子设备。其优异的导通特性和较高的耐压能力,使其在高功率、高频开关应用中表现出色,广泛用于工业自动化、家电控制、照明系统以及电力电子设备中。

替代型号

STP15NK80ZFP
  STW20NK80Z
  STP12NK80ZFP
  SKT590F08D

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