时间：2025/8/23 9:43:35
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SKT513F12DT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，提供低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于工业电机控制、电源管理和汽车电子系统等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）@25°C：5A
漏源导通电阻（RDS(on)）：最大2.8Ω（在VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值35nC
工作温度范围：-55°C至175°C
SKT513F12DT具备多个显著的技术特性。其高耐压能力（1200V）使其适用于高压功率转换系统。低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了器件的可靠性。
该器件采用先进的沟槽栅结构，提高了电流密度和导通性能。其栅极驱动设计优化，有助于降低开关损耗，提高系统的动态响应能力。SKT513F12DT还具有良好的短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的应用场景，如电源逆变器和电机驱动器。
封装方面，SKT513F12DT通常采用TO-220或D2PAK等标准封装形式，便于散热和安装，适用于各种工业和汽车电子应用环境。
SKT513F12DT广泛应用于高功率开关电路中，如工业电源、电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）、充电系统以及电动汽车的功率管理系统。它也可用于DC-DC转换器和高电压负载开关控制等场景。
STF12N120, STHF12N120, FGH12N120SMD
