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GA1206A330JBEBT31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:27:50 查看 阅读:8

GA1206A330JBEBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能等特性。其封装形式为 TO-247-3,适合大功率应用场合。

参数

型号:GA1206A330JBEBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  最大连续漏极电流(Id):33 A
  导通电阻(Rds(on)):0.065 Ω
  总功耗(Ptot):300 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1206A330JBEBT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗。
  2. 高击穿电压(650V),确保在高压环境下的稳定运行。
  3. 快速开关能力,减少开关损耗,提升效率。
  4. 出色的热性能,适用于高功率密度设计。
  5. 封装形式为 TO-247-3,具有良好的散热特性和机械强度。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  该器件非常适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

应用

GA1206A330JBEBT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或高频开关。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 太阳能逆变器中的功率模块。
  5. 工业控制设备中的功率管理。
  由于其高耐压和低导通电阻的特点,特别适合用于要求高效率和高可靠性的电力电子系统中。

替代型号

GA1206A330JBEBT32G, IRFP260N

GA1206A330JBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容33 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-