类型：MOSFET模块
　　拓扑结构：双路N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：120A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　安装方式：通孔安装

SKT493/06D MOSFET模块具备多项优异特性，确保其在高性能和高可靠性要求的应用中表现出色。
　　首先，该模块的高漏极电流能力（120A）使其能够处理大功率负载，适用于需要高电流输出的电源转换和电机驱动应用。其低导通电阻（Rds(on)）仅为2.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率，同时减少了热量的产生，有助于延长模块的使用寿命。
　　其次，SKT493/06D的漏极-源极击穿电压为60V，适用于中压功率应用，确保了在较高电压条件下的稳定运行。该模块的设计考虑了高温工作环境，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业、汽车等严苛环境下的应用。
　　此外，该模块采用双列直插式封装（DIP）设计，便于安装和维护，同时具备良好的散热性能。模块的封装材料具有优异的绝缘性能和机械强度，有效保护内部元件免受外界环境的影响。SKT493/06D还具备快速开关特性，能够实现高效的高频操作，适用于现代电力电子系统中对响应速度和效率要求较高的场合。
　　综合来看，SKT493/06D凭借其高电流能力、低导通电阻、宽工作温度范围以及可靠的封装设计，成为工业电源、电机驱动、UPS系统和电动汽车充电设备等领域的理想选择。

SKT493/06D广泛应用于需要高效能功率管理的电子系统中。其主要应用领域包括工业电源转换系统，如DC-DC转换器和AC-DC整流器；电机驱动器，如变频器和伺服电机控制器；以及不间断电源（UPS）系统，用于提供稳定的电力输出。此外，该模块还可用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器及自动化控制系统中，确保高效率和高可靠性的电力传输。

TK60A06K, STP120N6F2, IRF1404Z