时间：2025/9/7 8:05:26
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HZU5.1GTRF-E 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能功率转换的电子设备中。这款 MOSFET 的设计旨在提供较低的导通电阻和高效的开关性能，使其适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理等应用场景。该器件采用小型封装设计，便于在紧凑的 PCB 布局中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 (VDS)：20V
栅源电压 (VGS)：±12V
连续漏极电流 (ID)：5.1A
导通电阻 (RDS(on))：最大 28mΩ（在 VGS=4.5V）
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP-8
HZU5.1GTRF-E 具有较低的导通电阻，能够显著减少功率损耗，提高系统的整体效率。其低栅极电荷特性也使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗并提高了响应速度。
此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种严苛的环境条件。其小型 SOP-8 封装不仅节省空间，还简化了 PCB 设计，提高了组装效率。
该 MOSFET 还具备较高的电流承载能力和较强的抗过载能力，适用于需要高可靠性的应用场合。
HZU5.1GTRF-E 主要用于各类电源管理系统，如便携式电子设备的 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动器。此外，它还广泛应用于工业控制设备、通信设备和汽车电子系统中，为这些系统提供高效的功率转换和管理解决方案。
在便携式设备中，它可以用于优化电源分配，延长电池续航时间；在工业控制领域，它可以用于高精度的电机控制和电源调节；在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电系统、电源管理和传感器控制等应用。
Si2302DS, FDS6675, AO4406
