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SKT430F06DT 发布时间 时间:2025/8/23 0:33:37 查看 阅读:15

SKT430F06DT是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效功率转换的电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻(Rds(on)),以减少功率损耗,提高整体效率。它适用于多种应用场景,包括电机驱动、电源管理、电池充电器以及工业自动化系统等。

参数

类型:MOSFET N-Channel
  最大漏极电流(Id):80A
  最大漏-源极电压(Vds):60V
  最大栅-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大2.5mΩ @ Vgs=10V
  功耗(Ptot):200W
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C

特性

SKT430F06DT具备优异的导通性能和开关特性,适用于高频率开关应用。其低Rds(on)特性可以显著减少导通损耗,提高系统的能效。该MOSFET采用了先进的沟槽技术,确保了器件在高电流下的稳定运行。此外,其高耐压特性使其在60V的工作环境下表现出色,适用于高可靠性工业设备。
  该器件的封装形式为TO-247,具备良好的散热性能,有助于提高整体系统的稳定性。TO-247封装通常具备较低的热阻,使得器件在高功率负载下也能保持较低的工作温度。此外,SKT430F06DT具备较强的抗冲击能力和较高的短路耐受能力,能够在突发的高电流或短路条件下保持正常工作,减少损坏风险。
  SKT430F06DT的栅极驱动特性优化,能够与常见的MOSFET驱动器兼容,简化了电路设计。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持性能稳定。其快速开关能力减少了开关损耗,提高了整体系统的效率,使其成为高性能功率转换应用的理想选择。

应用

SKT430F06DT广泛应用于各类功率电子设备中,包括直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备以及不间断电源(UPS)等。由于其高电流能力和低导通电阻,特别适用于需要高效能、高可靠性的电源管理电路。此外,该MOSFET也可用于汽车电子系统、太阳能逆变器以及储能系统等对功率器件要求较高的场合。

替代型号

STP80NF06, IRF1405, FDP80N06S, IPW90R06S4-08

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