SKT410F04DS是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率模块,专为高功率应用设计。该模块集成了多个MOSFET器件,具有较高的导热性能和电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。
类型:MOSFET功率模块
最大漏极电流(ID):10A
最大漏源电压(VDS):40V
导通电阻(RDS(on)):典型值为0.4Ω
封装形式:表面贴装(SOP)
工作温度范围:-55°C至+150°C
SKT410F04DS模块具有优异的导热性能,能够有效降低工作时的温升,提高系统的稳定性和寿命。该模块采用先进的封装技术,具有较小的封装尺寸,适合高密度安装。此外,该器件的低导通电阻可以降低导通损耗,提高整体效率。模块内部采用多芯片并联设计,提高了电流承载能力并降低了热阻。同时,该模块具备良好的短路和过载保护能力,适用于各种恶劣工作环境。
该模块的高频特性优异,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等应用。其内部结构优化,减小了寄生电感,从而降低了开关过程中的电压尖峰,提高了系统可靠性。此外,SKT410F04DS还具有良好的EMI(电磁干扰)性能,有助于减少外围滤波电路的设计复杂度。
SKT410F04DS广泛应用于各种电力电子设备中,包括工业电源、伺服电机驱动器、电动车辆电源管理系统、太阳能逆变器以及高功率LED照明系统等。由于其高可靠性和优异的热性能,该模块也适用于需要长时间连续工作的工业控制系统。
TK62100PS, IPB041N04NG