类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110（最小值）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

SLR521S-30T1G 拥有优异的高频性能，其过渡频率（fT）达到 100 MHz，使其适用于需要快速开关和高频率放大的电路。该晶体管具备较高的电流增益（hFE），在不同的工作电流下仍能保持稳定的放大能力，确保电路性能的稳定性。
　　此外，SLR521S-30T1G 的最大集电极-发射极电压为 30 V，能够在中等电压环境下可靠工作，适用于多种电源管理应用。其最大功耗为 300 mW，配合 SOT-23 小型封装，能够在紧凑空间内提供良好的散热性能。
　　这款晶体管还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内工作，适用于工业级和消费级电子产品。SOT-23 封装形式不仅减小了 PCB 布局的空间需求，也提高了生产效率和焊接可靠性。
　　SLR521S-30T1G 的引脚排列清晰，基极、集电极和发射极分布明确，便于设计和调试。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装设计满足现代电子产品的环保要求。

SLR521S-30T1G 主要用于低功耗、中高频的开关和放大电路中，常见于便携式电子设备、电源转换器、LED 驱动电路、传感器接口电路以及音频放大器中。该晶体管也适用于需要良好增益和频率响应的模拟和数字电路。
　　在工业控制领域，SLR521S-30T1G 可用于驱动继电器、小型电机或 LED 显示模块。在通信设备中，它可用于 RF 放大和信号处理模块。由于其高稳定性和可靠性，也广泛用于汽车电子系统中的传感器驱动和信号调节电路。
　　此外，该晶体管常用于逻辑电路中的电平转换和缓冲器设计，适用于 TTL 和 CMOS 接口应用。由于其 SOT-23 封装的高集成度，特别适合用于空间受限的便携设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222, PN2222