类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：400A
　　最大漏-源电压：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.4mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：-20V至+20V
　　最大功耗：300W
　　封装形式：TO-264
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

SKT400F06CV MOSFET具有多项优异的电气和热性能，能够满足高功率应用的需求。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，同时减少发热，提升整体可靠性。该器件的高电流承载能力使其能够处理大负载电流，适用于需要高效率和高可靠性的工业电源和电动工具等应用。此外，SKT400F06CV采用了先进的热管理技术，确保在高功率密度环境下仍能保持良好的散热性能。其高耐压特性（60V）使其在各种高压开关电路中具有广泛的应用潜力。此外，该MOSFET的封装形式为TO-264，提供了良好的机械稳定性和电气连接可靠性。
　　SKT400F06CV还具有快速开关能力，能够适应高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统的响应速度。该器件的栅极驱动要求较低，适合与常见的MOSFET驱动IC配合使用，简化了电路设计。其高抗雪崩能力确保在过载或短路情况下仍能保持稳定运行，提高系统的安全性。此外，该MOSFET的封装设计优化了热阻，使得在高功率运行时能够有效将热量传导至散热片，延长器件的使用寿命。

SKT400F06CV 广泛应用于高功率开关电源、直流-直流转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备以及各种需要高效功率转换的电子系统。其优异的导通性能和高耐压特性也使其成为电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源领域的理想选择。在汽车电子领域，SKT400F06CV可用于车载电机控制、DC/AC逆变器和高功率车载充电器等应用场景。此外，该MOSFET也适用于高性能电源管理模块、工业自动化设备的电源控制部分以及需要高效率功率转换的嵌入式系统。

TK300F60W5IA, SiS886DN, IPW60R028C7