时间：2025/8/23 8:52:45
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SKT290F12DU 是一款由东芝（Toshiba）制造的高性能功率MOSFET器件，主要用于需要高效功率管理的电力电子应用。该器件采用了先进的U-MOS技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性，适用于诸如电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化等场景。SKT290F12DU的封装形式为TO-247，便于散热和安装。
类型：功率MOSFET
技术：U-MOS
最大漏极电流（ID）：290A
最大漏-源电压（VDS）：1200V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.028Ω
栅极电荷（Qg）：170nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：TO-247
SKT290F12DU功率MOSFET具有多项显著的性能特点。首先，其高耐压能力（1200V）使其能够适用于高电压应用场景，例如工业电源和太阳能逆变器。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）仅为0.028Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，SKT290F12DU采用U-MOS结构，优化了开关性能，能够在高频条件下保持良好的效率和稳定性。
这款MOSFET还具有出色的热稳定性，TO-247封装设计能够有效散热，确保在高电流工作条件下器件的可靠性和寿命。其栅极电荷（Qg）较低（170nC），进一步降低了驱动损耗，适用于高速开关应用。同时，SKT290F12DU具有良好的短路耐受能力，增强了在恶劣工作环境中的稳定性。最后，该器件的高可靠性和广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种工业和汽车电子系统。
SKT290F12DU主要应用于需要高效功率转换和管理的领域。其中，常见的应用包括AC/DC和DC/DC电源转换器、UPS不间断电源系统、电机驱动和控制电路、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业自动化设备。由于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，SKT290F12DU非常适合用于高功率密度和高效率要求的电源系统中。此外，该器件也适用于需要稳定可靠性能的汽车电子应用，例如车载充电器和动力系统控制模块。
TK290E12DW, STW290N12DH5, IHW29N120R5
