类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA（最大）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大）
　　开启电压（VGS(th)）：1.3V至2.5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

L2N7002WT1G-C2N7002WT1G具备低导通电阻和高频率响应的特性，使其在开关应用中表现出色。该器件的栅极驱动电压较低，能够在低功耗条件下实现高效的开关操作。此外，其封装形式支持表面贴装，适用于高密度电路设计。在极端温度条件下，L2N7002WT1G-C2N7002WT1G仍然保持稳定的工作性能，适合工业级应用环境。该MOSFET的高可靠性和耐久性也使其成为电源管理和信号控制电路中的理想选择。
　　其快速开关特性可以减少开关损耗，提高系统效率。此外，L2N7002WT1G-C2N7002WT1G的漏极和源极之间的击穿电压较高，能够承受一定的过压情况，从而提高了系统的稳定性。该器件还具有良好的热稳定性和抗静电能力，确保在复杂电磁环境中的可靠运行。

L2N7002WT1G-C2N7002WT1G常用于各种电子设备中的开关电路和信号控制电路。例如，在数字逻辑电路中，它可以作为电平转换器或缓冲器使用。在电源管理电路中，L2N7002WT1G-C2N7002WT1G可用于低功耗开关电源、DC-DC转换器或负载开关控制。此外，它也适用于驱动小型继电器、LED指示灯或蜂鸣器等负载。在通信设备中，该MOSFET可作为信号路由开关，用于控制数据通道的选择。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和便携式设备中，L2N7002WT1G-C2N7002WT1G也广泛用于电池管理和节能控制电路中。

2N7002, 2N7002E, 2N7002K, BSS138