SKT24-10E 时间：2025/8/22 23:28:17 阅读：17

SKT24-10E 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：24A
　　最大漏-源电压：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 40mΩ（在 Vgs=10V）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220 或 D2PAK

特性

SKT24-10E 的主要特性包括低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能，这使得器件能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，该 MOSFET 具有较低的开关损耗，有助于提高整体系统效率。其坚固的封装设计提供了良好的散热能力，增强了在恶劣环境下的可靠性。器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的保护。
　　在电气性能方面，SKT24-10E 具有快速开关特性和低栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗并提高响应速度。同时，其优化的沟槽结构设计降低了导通压降，减少了功率损耗。此外，该 MOSFET 在高温下的性能衰减较小，能够维持稳定的导通状态，适用于高可靠性要求的应用场景。
　　从应用角度看，SKT24-10E 支持多种拓扑结构，如降压、升压和同步整流等，适用于工业电源、电动工具、电池管理系统和汽车电子等多种领域。其高性能和高稳定性的特点，使得该器件在各种电源管理应用中表现出色，是工程师在高功率应用中首选的功率开关元件。