时间：2025/8/28 12:46:14
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T25D16CSIGT 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要面向高效率、低损耗的功率转换应用。该器件采用N沟道结构，具有较小的导通电阻和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统等领域。该型号封装为SOP（Small Outline Package）形式，适合表面贴装，便于在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：1.6A
导通电阻（RDS(on)）：约280mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：100mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP-8
T25D16CSIGT MOSFET具备多项优良特性，适合多种功率管理应用。其25V的漏源电压额定值使其能够适用于中低功率转换电路，如电源适配器、电池管理系统和DC-DC转换器。该器件的导通电阻较低，典型值约为280mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其1.6A的最大连续漏极电流能力足以满足大多数便携式设备和小型电机驱动应用的需求。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，使其兼容多种控制电路。其SOP-8封装形式不仅减小了PCB占用空间，而且提高了装配效率，适用于高密度电子产品设计。此外，T25D16CSIGT的热性能表现良好，能够在高负载条件下保持稳定运行，提高了整体系统的可靠性。
在开关特性方面，该器件具有较快的上升和下降时间，适用于中高频开关应用，有助于减小外围滤波元件的尺寸并提高响应速度。同时，其内部结构优化减少了开关损耗，降低了发热风险。这些特性使其非常适合用于需要频繁开关操作的负载控制和功率调节电路。
T25D16CSIGT广泛应用于多个电子领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品。该器件也可用于工业自动化设备和小型家电中的功率控制模块。
Si2302DS-T1-GE3, AO3400A, BSS138K, 2N7002K
