时间：2025/8/22 21:36:21
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SKT140F06DTH1 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOS 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制和电源管理系统等场景。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，便于散热和集成。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：140A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.2mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220
SKT140F06DTH1 MOSFET 的核心优势在于其极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。其沟槽式结构优化了载流子分布，从而实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。
该器件具有出色的热稳定性，得益于其封装设计和内部结构优化，可在高负载条件下保持较低的温升。此外，SKT140F06DTH1 具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
该 MOSFET 支持快速开关操作，适用于高频开关电源和同步整流电路，有助于减小外围元件的尺寸和重量。其栅极驱动特性良好，能够兼容标准的 10V 和 12V 驱动电路，同时也适用于逻辑电平驱动（需注意导通电阻的变化）。
另外，该器件通过了工业级可靠性认证，符合 RoHS 环保标准，适用于各种工业、汽车和消费类应用。
SKT140F06DTH1 广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块、服务器和电信设备的电源供应单元，以及汽车电子中的功率控制模块。
在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，它可用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及电机控制器等关键部件。此外，该器件也适用于高功率 LED 驱动器、工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统。
STP150N6F6AG, IRF1407, FDP140N6F, SKT150F06DTH1
