型号：SKS1004AT
　　制造商：MagnaChip
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（ IDM）：23A
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：160pF @ VDS=15V
　　反向传输电容（Crss）：45pF @ VDS=15V
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C

SKS1004AT采用MagnaChip先进的TrenchMOS工艺制造，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而提高整体效率并减少发热。该器件的关键优势之一是其极低的RDS(on)，在VGS=10V时仅为13mΩ，在VGS=4.5V条件下也仅为17mΩ，这使得它非常适合用于需要高效率能量转换的同步整流或负载开关应用。此外，该MOSFET具备良好的栅极电荷特性，Qg典型值约为6nC，有助于实现快速开关动作，降低开关损耗，提升系统整体能效。
　　由于采用了SOT-23小型封装，SKS1004AT在保持高性能的同时实现了高度集成化，非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对PCB空间有严格要求的产品中。尽管封装尺寸小，但其热性能经过优化设计，能够在合理布局下有效散热，支持持续1W的功耗能力。同时，该器件具有较高的输入阻抗和较低的驱动需求，可以轻松由逻辑IC或微控制器直接驱动，无需额外的驱动电路，进一步简化了系统设计。
　　SKS1004AT还具备良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在实际应用中的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于消费类电子，也可用于部分工业环境下的控制系统。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保与安全性的严苛要求。综合来看，SKS1004AT是一款兼具高性能、小尺寸与高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种低压电源管理场景。

SKS1004AT主要用于各类低电压直流电源管理系统中，常见于便携式电子设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等产品中的电源开关、电池保护电路和负载切换模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力，常被用作同步整流器在降压型（Buck）或升压型（Boost）DC-DC转换器中以提高转换效率。此外，在LED驱动电路中，SKS1004AT可用于恒流控制或作为开关元件实现亮度调节功能。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，该器件可用作GPIO扩展的驱动开关，用于控制不同功能模块的上电时序或电源隔离，例如Wi-Fi模块、传感器阵列或显示屏背光的开启与关闭。工业领域中，SKS1004AT也被应用于小型PLC、数据采集终端和远程I/O模块中的信号切换和电源管理单元。
　　另外，由于其具备良好的开关特性和稳定性，SKS1004AT还可用于H桥电机驱动电路中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机，适用于玩具、微型机器人或自动门锁等应用场景。在热插拔电路设计中，该MOSFET可作为理想的主开关器件，配合限流电阻和延迟电容实现平滑上电，防止浪涌电流损坏后级电路。总之，SKS1004AT凭借其优异的电气性能和紧凑封装，已成为众多中低端功率开关应用中的主流选择之一。

AON6260, DMG2305U, Si2305DS, FDN360P, TSM2304CX