2SK3067 时间：2025/5/24 10:08:37 阅读：13

2SK3067是一种N沟道MOSFET晶体管，主要应用于高频放大器和振荡器电路中。它属于 Toshiba 公司生产的系列器件，适用于要求高增益和低噪声的射频（RF）应用。2SK3067因其出色的线性特性、较高的跨导和较低的噪声系数而备受青睐。
　　该器件通常被用在业余无线电设备、短波通信系统以及专业测试仪器中。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　工作频率范围：DC 至 150 MHz
　　漏极饱和电流（IDSS）：-8 mA
　　栅源击穿电压（VGS(off)）：-4 V
　　跨导（gm）：2000 μS
　　输入电容（Ciss）：180 pF
　　最大耗散功率（Pd）：0.31 W
　　最高工作温度：150 ℃

特性

2SK3067是一款专为射频应用设计的场效应晶体管，具有以下显著特性：
　　1. 高增益性能，适合用于需要精确信号放大的场景。
　　2. 低噪声系数，使其成为音频和射频放大器的理想选择。
　　3. 稳定的工作特性，在较宽的温度范围内表现优异。
　　4. 小型封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
　　5. 较高的可靠性，能承受一定的负载条件和瞬态冲击。
　　6. 工作频率可达150MHz，适用于多种高频应用场合。

应用

2SK3067主要用于以下领域：
　　1. 射频放大器设计，如低噪声放大器（LNA）和驱动级放大器。
　　2. 高频振荡器和混频器电路。
　　3. 业余无线电设备中的前置放大器和收发信机模块。
　　4. 测试与测量仪器中的信号调节部分。
　　5. 工业控制和医疗电子中的高频信号处理环节。
　　其高频特性和低噪声优势使得它非常适合于对信号完整性有严格要求的应用场景。