SKRPADE010是一种高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高电流承载能力,从而提高整体系统的效率并减少热量产生。
SKRPADE010以其卓越的电气特性和可靠性著称,适用于多种工业及消费类电子产品中,尤其在需要高效能功率转换的应用中表现突出。
型号:SKRPADE010
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
总栅极电荷(Qg):35nC
功耗(Ptot):230W
工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
SKRPADE010具有以下显著特性:
1. 低导通电阻(Rds(on))可有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力使得其能够在大功率应用中保持稳定性能。
3. 快速开关速度减少了开关损耗,适合高频操作环境。
4. 强劲的热性能设计确保了器件在高温环境下仍能可靠运行。
5. 内置反向二极管支持高效的续流功能。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
SKRPADE010主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 各种类型的DC-DC转换器。
3. 电机驱动电路,例如步进电机和无刷直流电机。
4. 负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
FDP5800
STP10NK60Z