SKRABJE010是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率与可靠性。此外,其封装形式紧凑,便于集成到各类电子系统中。
这款MOSFET晶体管主要针对需要高效能和高可靠性的应用设计,适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品领域。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:28A
导通电阻:1.5mΩ
总栅极电荷:45nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场景。
3. 强大的雪崩能力,提升了器件在异常条件下的耐用性。
4. 紧凑型封装设计,节省PCB空间并简化布局。
5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下仍能稳定运行。
6. 高度可靠的电气性能,经过严格的测试验证,适合多种苛刻的应用场景。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 各类DC-DC转换器和逆变器模块。
4. 工业自动化控制设备中的功率管理。
5. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
6. 充电器和适配器中的功率输出级控制。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L