SKR67F06 时间：2025/8/22 23:24:32 阅读：8

SKR67F06 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET的范畴。该器件设计用于高频率和高功率应用，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理、电池供电设备等场合。作为一款N沟道增强型MOSFET，SKR67F06在电路中通常用作开关元件，能够高效地控制电流的导通与关断。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：约0.0067Ω（典型值）
　　最大功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220AB

特性

SKR67F06具备多项优良的电气和物理特性，适合高功率和高效率的应用场景。
　　首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在0.0067Ω左右，这意味着在导通状态下，漏源之间的电压降非常小，从而减少了功率损耗，提高了整体效率。
　　其次，SKR67F06的最大漏源电压为60V，最大连续漏极电流为100A，表明其具有较强的电流承载能力，适用于需要大电流驱动的场合，如电机驱动、DC-DC转换器和电源管理模块。
　　此外，该器件采用了TO-220AB封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率运行时保持较低的工作温度，从而提升系统的稳定性和可靠性。
　　SKR67F06还具有较快的开关速度，适合用于高频开关电源和同步整流电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体转换效率。
　　最后，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了较宽的驱动电压范围，便于与各种驱动电路配合使用，增强了设计的灵活性。

应用

SKR67F06广泛应用于需要高电流和高效率的电力电子系统中。常见应用包括但不限于：DC-DC转换器中的主开关或同步整流器，用于提高转换效率；电机驱动电路中作为功率开关，控制电机的启停和调速；电池管理系统中用于充放电控制，确保电池安全高效运行；工业自动化设备中的电源模块，提供稳定的功率输出；以及在电动车、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等新能源相关设备中作为核心功率器件。