SKR46/08UNF 时间：2025/8/23 3:19:16 阅读：5

SKR46/08UNF 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高效率功率转换应用，如电源供应器、DC-DC转换器以及电机控制等场景。该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适合在高频率开关环境下工作。封装形式为TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：80A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为12.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

SKR46/08UNF具备多项优异的电气特性，使其在功率电子设计中具有广泛的应用前景。
　　首先，该MOSFET具有非常低的导通电阻（RDS(on)），典型值为12.5mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，低RDS(on)还能降低工作时的温升，提升器件的可靠性。
　　其次，SKR46/08UNF的最大漏极电流可达80A，支持在高负载条件下稳定运行。该器件的漏源电压（VDS）为60V，适用于中低压功率转换场合。
　　该MOSFET采用了先进的制造工艺，确保在高温环境下仍能保持良好的性能。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适应工业级和汽车级应用的需求。
　　封装方面，采用TO-220封装形式，便于安装在散热器上，有效提高热管理能力，延长器件使用寿命。
　　此外，SKR46/08UNF的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准的10V和12V驱动电路，适用于多种控制方案。该器件的开关速度快，适合高频开关应用，从而减小外围元件的体积，提高系统集成度。

应用

SKR46/08UNF广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，用于提高电源效率和降低损耗。
　　2. DC-DC转换器，如Buck、Boost和Buck-Boost拓扑结构，适用于电信设备、服务器电源和便携式电子产品。
　　3. 电动工具、无刷直流电机（BLDC）和电动汽车中的电机驱动电路，提供高效、稳定的功率控制。
　　4. 电池管理系统（BMS）和储能系统中的充放电控制开关，确保电池安全高效运行。
　　5. 工业自动化和机器人系统中的功率控制模块，实现高精度和高响应的控制功能。
　　6. 家用电器中的变频控制电路，如变频空调、洗衣机等，提升能效和性能。