时间：2025/8/22 15:19:22
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SKR31F12 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等高功率应用中。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
漏极电流（ID）：31A
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.12Ω
栅极电荷（Qg）：约85nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
SKR31F12具有优异的导通性能和开关特性，适用于高功率密度和高效率的电源系统。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过压和过流，提升了系统的稳定性和可靠性。
该MOSFET还采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。其栅极驱动要求较低，兼容标准的10V栅极驱动器，简化了驱动电路的设计。SKR31F12还具备较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
SKR31F12常用于工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电器、UPS不间断电源、电机驱动和智能电网系统等高功率应用场景。它适用于需要高效、高可靠性和高功率密度的电力电子设备中。
TK12A60D, IRF12N50, STF12N50M, FDPF12N50
