时间：2025/8/23 1:39:35
阅读：3
SKR2M130/02 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换和电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性，适用于如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理等应用。SKR2M130/02 采用表面贴装的封装形式，便于在PCB上安装和散热管理。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：100V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为1.3mΩ（典型值可能更低）
功耗（Ptot）：300W（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：MultiPower SO-8 或类似的高功率表面贴装封装
SKR2M130/02 MOSFET 具备多项优良特性，包括低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度以及高可靠性。其低Rds(on)特性可以显著减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件的设计优化了热性能，使其能够在高负载条件下保持稳定运行，并有效降低散热器的需求。此外，SKR2M130/02 采用了先进的沟槽栅极技术，提供了更高的栅极控制精度和更小的寄生电容，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。这使得它非常适合用于高频开关电源和高效能功率转换系统。此外，其宽泛的工作温度范围和高耐压能力也增强了其在各种严苛环境下的适用性。
SKR2M130/02 主要应用于高效能电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化和伺服控制系统。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电动车辆的功率转换模块、车身控制模块和LED照明驱动器。该器件的高可靠性和热稳定性也使其在需要长时间稳定运行的工业和汽车应用中表现出色。
STL150N10F7, IPP110N10S4-04, FDS4410, SiR178DP
