时间：2025/8/15 5:46:15
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2N7002T/R 是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于低电压和低电流的开关电路中。这款MOSFET具有高效率、快速开关速度和低导通电阻的特点，适合在数字电路、电源管理和信号处理等领域使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：300mA
导通电阻（RDS(on)）：5Ω
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
2N7002T/R MOSFET的特性之一是其能够在较低的栅极电压下正常工作，这使得它非常适合用于低电压控制系统。此外，其快速的开关响应时间能够有效降低开关损耗，提高整体电路的效率。该器件还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于各种工业和消费电子产品。
该MOSFET的封装形式通常为SOT-23，这种小型封装不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中应用。由于其良好的电气特性和经济性，2N7002T/R成为许多开关应用中的首选器件。
2N7002T/R MOSFET常用于电源管理电路、逻辑驱动开关、负载开关控制、LED驱动电路以及各种低功耗电子设备中。由于其良好的性能和小型化封装，该器件也广泛应用于便携式电子产品和嵌入式系统中。
2N7002, 2N7002K, BSS138
