时间：2025/4/29 12:32:08
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FST16233MTD是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关和功率转换场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于各种需要高效功率管理的电子设备。
这款MOSFET在设计上优化了栅极电荷和导通电阻的平衡，使其能够在高频应用中提供卓越的性能表现。同时，其小型化封装形式有助于节省电路板空间，满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
型号：FST16233MTD
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：23A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：27nC
总电容(Ciss)：1050pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 小型化封装设计，节省PCB布局空间。
4. 良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 栅极驱动要求较低，易于与驱动电路配合使用。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
FST16233MTD广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
4. LED驱动器中的电流调节。
5. 工业自动化设备中的功率开关。
6. 汽车电子系统中的负载控制。
7. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
FST16N20L
FDP16N20
IRF1620
