时间：2025/6/29 15:13:26
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NTD5407NT4G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于功率管理、负载开关、DC-DC 转换器、电机控制和其他需要高效开关的电路中。其设计特点是低导通电阻和快速开关速度，能够在高频应用中提供高效率和低损耗。
NTD5407NT4G 采用 TO-263 封装，适用于表面贴装技术（SMT），使其在印刷电路板上的安装更加简便。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
总功耗：1.8W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷：9nC
反向恢复时间：28ns
NTD5407NT4G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，能够承受瞬态过压条件。
4. 支持逻辑电平驱动，允许直接与常见的微控制器或逻辑电路接口。
5. 高可靠性设计，确保长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
NTD5407NT4G 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 通信设备中的高效功率分配网络。
7. 计算机及外设中的电源管理单元。
NTD5407N, FDP5800, IRLZ44N
