类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：1.45mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散（Ptot）：130W

SKR145F14 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提高了芯片的电流密度和热稳定性，使其在高负载条件下仍能保持较低的温升。
　　其封装形式为 PowerFLAT 5x6，这种封装具有良好的热管理能力，同时体积小巧，适用于高密度PCB布局。此外，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，有助于提高系统的可靠性。
　　SKR145F14 还具有快速开关特性，能够支持高频工作环境，从而减小外围电感和电容的体积，提高整体系统的响应速度和能效。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗。

SKR145F14 常用于各种高功率、高效率的开关电源应用，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及负载开关控制电路。由于其低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET也适用于高电流负载的电源管理场合，如服务器电源、工业自动化设备和电动车电源系统。
　　在电机控制应用中，SKR145F14 可用于H桥电路中的上下桥臂，实现高效、快速的电机驱动。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，提供可靠的开关性能。
　　此外，由于其封装小巧、性能稳定，SKR145F14 也广泛应用于消费类电子产品中的高效电源模块，如笔记本电脑电源适配器、便携式充电设备等。

STL145N10F7AG、IPD145N10N3G、FDMS86180、IRF3717PBF