SKR140F15是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压和高电流处理能力等特点。SKR140F15适用于各种电力电子系统,如电源转换器、电机驱动、UPS(不间断电源)和工业自动化设备等。其封装形式为TO-247,便于散热并适用于高功率密度设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):1500V
最大漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):1.5Ω
栅极电压(Vgs):±30V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247
功率耗散(Pd):150W
SKR140F15具有多项高性能特性,首先是其高耐压能力,最大漏源电压可达1500V,使其适用于高压应用场景。其次,该MOSFET的导通电阻为1.5Ω,在同类产品中属于较低水平,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,其最大漏极电流为14A,能够支持较高功率的负载切换。该器件的栅极电压范围为±30V,具备较强的抗干扰能力,避免因过高的驱动电压导致器件损坏。
SKR140F15采用TO-247封装,具有良好的热管理能力,适用于高功率密度和高散热要求的电路设计。其工作温度范围为-55°C至175°C,适应性广泛,能够在极端环境下稳定运行。此外,该MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关应用,有助于减小电源体积并提高系统响应速度。整体而言,SKR140F15是一款适用于工业控制、电源管理和高功率电子设备的高性能功率MOSFET。
SKR140F15广泛应用于各种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器以及电机控制电路。在UPS(不间断电源)系统中,该MOSFET可用于逆变器和充电电路,实现高效能的能量转换。此外,在工业自动化领域,SKR140F15可用于PLC(可编程逻辑控制器)的功率输出模块,提供稳定可靠的开关控制。该器件也适用于太阳能逆变器、电焊设备、电动汽车充电模块等高压高电流应用场合。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高压电源转换和功率控制的理想选择。
STP140F15, IRGP50B60P, FGH40N150