SKR136F10 时间：2025/8/23 17:15:51 阅读：4

SKR136F10是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高效率的开关应用而设计，适用于多种功率电子系统。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用TO-220封装，便于安装和散热，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等应用。SKR136F10在设计上优化了开关性能，使其在高频操作中依然能够保持良好的稳定性和效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为1.2Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约2V至4V
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：约40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

SKR136F10 MOSFET具有多个关键特性，使其适用于广泛的功率控制应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下减少功率损耗并提高整体效率。此外，该器件的高电流承载能力（7.5A）和耐压能力（100V）使其适用于中高功率应用，如开关电源、DC-DC转换器和电机控制器。SKR136F10采用TO-220封装，具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。该器件的栅极驱动要求相对较低，可以在常见的10V栅极驱动电压下完全导通，简化了驱动电路的设计。此外，其坚固的结构和高可靠性使其在恶劣的工作环境中也能保持稳定性能。由于其高频开关能力，SKR136F10也适用于需要快速开关的应用，如PWM（脉宽调制）控制和高频逆变器。总的来说，该MOSFET在性能、可靠性和易用性方面达到了良好的平衡，是多种功率电子系统中的理想选择。

应用

SKR136F10 MOSFET广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、电池管理系统、工业自动化设备以及照明控制系统。由于其高电流能力和低导通电阻，它也适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理应用。此外，在汽车电子系统中，例如车载充电器和电机驱动器，SKR136F10同样表现出色。它还可用于逆变器和不间断电源（UPS）系统中，以实现高效的电能转换与控制。