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MTSOTLT2G53BAL15 发布时间 时间:2025/9/1 21:22:16 查看 阅读:6

MTSOTLT2G53BAL15 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)制造的射频(RF)晶体管,专为高频应用而设计。该器件属于金属陶瓷封装的双极晶体管,适用于通信、雷达和测试设备等需要高性能的系统中。

参数

类型:射频双极晶体管
  封装类型:金属陶瓷封装
  晶体管类型:NPN
  频率范围:高达2GHz
  最大集电极电流:500mA
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大功耗:30W
  增益带宽积:10GHz
  输出功率:典型值为15W @ 2GHz
  工作温度范围:-65°C 至 +200°C

特性

MTSOTLT2G53BAL15 是一款高性能射频双极晶体管,其金属陶瓷封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性,适用于高温和恶劣环境条件下的运行。该晶体管具有较高的输出功率能力和良好的线性度,适合用于宽带和窄带射频放大器应用。
  此外,该器件具有低噪声系数和高增益特性,使其在低噪声放大器(LNA)和驱动放大器中表现出色。其高可靠性和长寿命使其成为军事、航空航天和工业级应用的理想选择。该晶体管还具有良好的匹配特性,可减少外部匹配网络的复杂性,从而降低整体系统成本。

应用

MTSOTLT2G53BAL15 常用于需要高频率和高功率的射频系统中,例如:
  无线通信基站中的射频功率放大器
  雷达和电子战系统中的发射模块
  测试与测量设备中的信号放大器
  工业和医疗射频设备中的驱动级放大器
  卫星通信系统中的发射链路放大器

替代型号

MRF151G, MRF157, MRF158, MRF1512, MRF1514

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