时间：2025/7/10 11:51:56
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SKPMAPE010 是一款基于硅技术的高性能 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的封装工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提高系统性能。
SKPMAPE010 的设计注重提升电气特性和热稳定性，使其在高频工作条件下依然保持优异的表现。此外，该器件还具备出色的浪涌电流承受能力和抗静电能力，适用于各种严苛的工作环境。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ
总功耗(Ptot)：270W
结温范围(Tj)：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 1.3mΩ，能够有效减少导通损耗，从而提高系统效率。
2. 支持高达 50A 的连续漏极电流 Id，适用于大功率应用场景。
3. 高耐压能力，最大漏源电压 Vds 达到 60V，确保在高压环境下稳定运行。
4. 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能和机械强度。
5. 宽泛的结温范围（-55°C 至 175°C），适应极端温度条件下的使用需求。
6. 提供强大的抗静电保护功能，增强器件的可靠性与耐用性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统的功率管理。
5. 各种需要高效功率转换和快速响应的应用场景。
IRFP260N
STP50NF06
FDP50N06L
