SSP4N70是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于各种电源管理及功率转换应用中。该器件采用了先进的平面技术,具备高效率、高可靠性和低导通电阻的特点,适合用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制等领域。SSP4N70的封装形式通常为TO-220或DPAK,适用于多种安装方式。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):700V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):2.5Ω(最大)
功耗(Pd):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220 / DPAK
SSP4N70具有多项优异的电气性能和物理特性,适用于高要求的功率电子应用。
首先,该器件的漏源电压(Vds)高达700V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于开关电源、逆变器等需要承受高电压的应用场景。
其次,SSP4N70的导通电阻(Rds(on))最大为2.5Ω,在同类产品中表现良好,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。
其栅源电压(Vgs)为±30V,具备较强的抗过压能力,增强了器件的可靠性。
此外,SSP4N70的最大连续漏极电流为4A,能够在中等电流负载下稳定运行,适用于多种电源转换设备。
在散热方面,TO-220和DPAK封装提供了良好的热管理和机械强度,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定的性能。
最后,该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适应了广泛的工业环境,具备良好的高低温稳定性。
SSP4N70由于其高压耐受能力和良好的导通性能,广泛应用于多个功率电子领域。首先,在开关电源(SMPS)中,该器件可用作主开关,实现高效的能量转换,适用于适配器、充电器、LED驱动电源等产品。
其次,在DC-DC转换器中,SSP4N70可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,实现电压调节和能量传输,常见于电动汽车、工业控制设备和便携式电源系统中。
此外,该器件也适用于电机控制电路,如直流无刷电机驱动器和风扇控制器,能够提供稳定的开关控制并减少能量损耗。
在照明领域,SSP4N70可作为LED灯串的驱动开关,支持高亮度LED的高效调光和恒流控制。
同时,该MOSFET也可用于逆变器电路,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,确保直流电源能够高效转换为交流电源以供负载使用。
除此之外,SSP4N70还可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制,提高电池使用效率和安全性。
STP4N60, IRFR3708, FDPF4N70