SKNH56/18E 时间：2025/8/23 6:52:05 阅读：9

SKNH56/18E 是一款由 Semikron（赛米控）制造的双单元IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块集成了两个IGBT芯片，具有高效、高可靠性和低导通压降的特点，适用于工业电机驱动、变频器、电焊机以及可再生能源系统等应用场景。

参数

类型：IGBT模块
　　电流容量：56A
　　电压等级：1800V
　　封装形式：模块型
　　内部结构：双单元
　　导通压降：典型值2.1V
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装材料：陶瓷基板，铝外壳
　　安装方式：螺钉固定
　　散热方式：底板散热
　　短路耐受能力：5μs（典型值）

特性

SKNH56/18E IGBT模块采用先进的沟槽栅场截止（Trench FS）技术，实现了更低的开关损耗和导通损耗，同时具备良好的热稳定性。模块内部集成了两个独立的IGBT芯片，支持并联使用，提高整体系统的功率密度和可靠性。该模块采用了陶瓷绝缘基板和高导热材料，提升了散热效率和机械强度。此外，其封装设计符合国际标准（如IEC 60176等），便于安装和维护。
　　该模块的栅极驱动接口设计合理，支持标准驱动电压（通常为+15V/-15V），具备良好的抗干扰能力。在短路和过流情况下，模块能够承受一定的故障电流，避免立即损坏，为系统提供更长的故障响应时间。此外，SKNH56/18E还具备出色的耐湿热性和抗振动性能，适用于各种严苛的工业环境。
　　模块内部的IGBT芯片具有对称的电气特性和良好的动态均流能力，确保在并联运行时电流分布均匀，避免局部过热现象。这种设计特别适用于需要高可靠性和高效率的变频器和电机控制系统。