SKND50E03是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和快速开关特性的电路中。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。SKND50E03通常封装在DFN(Dual Flat No-leads)或TO-252(DPAK)等小型封装中,便于在高密度PCB设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A(在25℃)
导通电阻(Rds(on)):≤2.3mΩ(典型值)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55℃至175℃
SKND50E03具有多个关键特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该特性使得该器件非常适合用于高电流应用,如电源转换器和负载开关。
其次,SKND50E03具备高耐压能力,漏源电压(Vds)为30V,能够承受较高的电压应力,适用于中等功率的DC-DC转换器和电池管理系统。此外,该器件的栅源电压(Vgs)可达±20V,提供了较大的驱动灵活性,并增强了在高压环境下的稳定性。
该MOSFET采用了先进的沟槽技术,优化了导通和开关性能。其快速开关能力有助于降低开关损耗,提高系统响应速度,适用于高频开关应用。此外,SKND50E03的热阻较低,能够有效散热,确保在高负载条件下的可靠运行。
封装方面,SKND50E03通常采用DFN或TO-252封装,具有较小的体积和良好的热管理性能,适合高密度PCB布局和表面贴装工艺。
SKND50E03适用于多种功率电子应用,包括但不限于:
1. **DC-DC转换器**:在升压(Boost)和降压(Buck)转换器中作为主开关,提供高效率和快速响应。
2. **同步整流器**:用于提高AC-DC电源的效率,替代传统二极管整流器。
3. **电机控制**:在H桥电路中作为功率开关,控制直流电机的转向和速度。
4. **负载开关**:用于控制高电流负载的接通与断开,如LED照明、加热元件等。
5. **电池管理系统**:在电池充放电电路中作为保护开关,防止过流和短路情况下的损坏。
6. **服务器和通信电源**:在高密度电源模块中提供高效能的功率开关解决方案。
IPD50N03S G, SQJD45EP, SQD45N03-07